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適用于大功率、 大電流的制動設(shè)備，試驗測試設(shè)備，電梯、起重等變頻器的能耗制動回路中

可以測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻

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