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贴片铝电解

电容器/贴片铝电解电容/SMD铝电解电容

产品名称
贴片铝电解
价格
0.09
在地区
广东 东莞 
小起订量1
1000
供货能力
1000000
发布时间
2018/3/8 3:04:22
信息来源
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式化推动大容量SMD铝电解电容市场短缺

  平面显示、数字有线机顶盒和汽车电子等市场的持续升温,推动了片式铝电解电容(SMD aluminum capacitor)需求的高涨,也导致了2004年上半年亚洲SMD铝电解电容市场的缺货,尤其是那些大体积大容量产品。为了迎合需求,中国主要SMD铝电解电容厂商正在大幅提升产能,并扩大产品线,此外还有一些传统的引线型铝电解电容制造商也在进入仍处于新兴阶段的中国SMD铝电解电容市场,预计这将缓解该市场供应紧张的局面,并促使该产品的价格在2005年下降。
片式化趋势推动上半年大容量SMD产品缺货
  SMD铝电解电容的主要功能为旁路、滤波、耦合等,应用于高清电视(包括数字机顶盒)、LCD、车载DVD、X薄DVD和MP3等产品中。据介绍,一台车载DVD中,SMD铝电解电容的用量约为60只,而一台高清电视或者等离子电视中,SMD铝电解电容的用量更是高达100~200个。而平面显示、数字有线机顶盒和汽车电子等市场的X,推动了SMD铝电解电容需求的高涨。
  无源器件市场研究机构Paumanok GroupX近指出,2004年上半年亚洲SMD铝电解电容缺货的主要规格为容量在100~1000μF之间,尤其是100、220、330、470和1,000μF容量的产品;电压范围(Vdc)分别为50、25、16和6.3;尺寸则主要是φ8x10.5mm、φ10x10.5mm等规格。该公司指出,缺货的主要原因是来自平面显示器和数字有线机顶盒的需求强劲和供应商的产能不足。但另一个原因是SMD铝电解电容与较大尺寸的钽电容市场重合,可对钽电容形成替代,由于钽电容供应链出现问题,自2000年来这种替代趋势加快。Paumanok Group还预计,2004和2005年间的SMD铝电解电容市场将继续增长,供求将趋于平衡,其中1~1000 μF容量的SMD产品增长X快,可能还会出现配给、价格上涨和交货期延长等供应紧张的现象。珠海华冠力合电容器有限公司和厦门信达电子有限公司证实了Paumanok Group关于缺货的报道。珠海华冠技术部经理吉泽锋表示:“φ5*5.5、φ8*10.5、φ10*10.5等尺寸的产品供货十分紧张,估计供货紧张的局面将持续到6月份。”厦门信达则预计到5月份,缺货可以缓解。
  吉泽锋解释说,随着板卡上元器件的片式化率提高,OEM不再愿意为了少数几个的引线型元器件而在板卡上打孔。因此自今年年初以来,φ8、φ10等大体积(主要用于高清显示)引线型铝电解电容的片式化速率加快,而制造商的准备不足导致货源紧缺,因此厂商们都在加大φ8、φ10等规格SMD产品的出货量。他继续说,此外,主流的φ4、φ6规格SMD产品的出货量也在加大,因此整体短缺的现象有望在6月份得到缓解。
主要SMD制造商大幅扩产,04年价格持平
  中国本地SMD铝电解电容制造始于2000年,目前大约有6家公司具有量产规模,总产能为7~8亿只,主要厂商包括珠海华冠力合电容器有限公司、厦门信达电子有限公司、南通江海电容器有限公司、南通同飞电容器有限公司和常州华威电子有限公司等,其中珠海华冠和厦门信达产能较高、规格较为齐全。
  吉泽锋介绍说,目前该公司铝电解电容的年产能为4亿只,其中SMD产品为2亿只。目前,该公司计划将现有产品的产能提高一倍,实现2005年全年出货4亿只SMD产品的目标。同时,厦门信达现在的月产能为3,000万只SMD铝电解电容,普通引线型铝电解电容的月产量为1亿只。该公司也有扩产计划,在2004年底将SMD铝电解电容的月产能扩大到5,000万只。
  “SMD市场经过了前几年的探索期,现在已进入快速增长期。”吉泽锋说,“X先,该产品经过几年的实践,产品技术已成熟,性能稳定可靠。其次,随着3C行业的大幅提升,产品市场需求开始进入旺盛期。预计未来3~5年内,SMD市场还将有较快地增长。”
  除珠海华冠和厦门信达外,以引线型铝电解电容产品为主的传统制造商也开始涉足SMD铝电解电容产品。例如,常州华威电子于今年3月开始生产SMD铝电解电容,而该公司目前年产30亿只引线型铝电解电容器;南通江海也已量产SMD产品,并计划在未来提高SMD产能,而该公司的引线型铝电解电容的年产量约20亿只。此外,南通同飞的SMD产量约为200万只,而该公司引线型铝电解电容的月产量为1亿只。中国本地SMD制造商大幅扩产,势必可能会导致价格下降。对此,珠海华冠的吉泽锋认为:“2004年SMD铝电解电容价格与2003年基本持平,原因是产品需求量的增长明显快于生产量的增加,部分产品供不应求;同时能源、金属等材料的价格上涨,造成生产成本增加。”他还表示,由于原材料成本占SMD铝电解电容产品生产成本的50%左右,如果2005年原材料不涨价,那么2005年SMD产品的价格将会下调。厦门信达的市场部人士则认为今年SMD产品的价格将会稳中有降。
产品向多元化发展,大容量和高频类型看好
  珠海华冠的SMD产品的种类包括普通型(-40~+85度)、宽温型(-55~+105度)、高频低阻抗型、无极性等。吉泽锋表示,宽温型的常规产品在未来几年内仍然是市场的主流,并且朝向小型化、低高度化、耐高温、长寿命发展;但他预计由于信息、家电设备和电源设备的高压大容量产品的需求日益扩大,大体积大容量的SMD产品出货量将出现较大增长;此外,目前电子产品逐渐向高频方向发展,对低ESR、低损耗的高频低阻抗型SMD产品的需求也看涨。
  吉泽锋介绍说,该公司的SMD产品在105度进行测试时的寿命为2000小时,可通过X高温度不X过260度的回流焊,该公司计划在未来将现有产品的耐焊接热温度提高到280度以上。此外,珠海华冠的SMD产品使用无铅导针,满足欧洲的环保要求。
  吉泽锋还表示其极低阻抗产品已系列化生产,其中16V、100μF的产品在100KHz时的阻抗小于0.3欧姆。他还透露说,珠海华冠的高频低阻抗产品将向固体电解质方向发展,预计将2005年进行试产,2006年开始量产。
  同时,南通江海也将研发有机电解质的产品作为未来的发展方向之一,南通江海还将高压、大容量的产品列为未来的发展重心。
  与其它元器件厂商一样,价格和货期是中国本地SMD铝电解电容制造商的竞争X势。吉泽锋表示,和国外产品相比,珠海华冠的价格便宜30-40%;而在货期方面,该公司为1-2周,而其国外同行为20-40天。此外,吉泽锋还表示可按客户要求定制特殊体积和高度的SMD铝电解电容产品。

一种估计小电流系统线路对地电容的新方法
中性点绝缘系统的接地电容电流,是电力系统的重要参数之一。通常采用附加电容法和金属接地法进行测量和计算,但前者测量方法复杂,并且附加电容对测量结果的影响较大,而后者试验中又具有一定的危险性。为此,本文提出了一种简便、安全的估算方法。该方法适用于对误差要求不很严格并且工作量较大的场合,经过仿真表明,结果较为准确,方法简单易行。
关键词:小电流系统;单相接地;电容电流

系统电容电流是调度和运行单位要了解的系统参数之一,是设计单位选择补偿设备的依据,故研究该项工作具有重要意义。目前,电容电流的测量方法主要有单相金属接地法、相对地附加电容法及中性点附加电容法。
采用单相金属接地法,易造成两相对地短路及铁磁谐振过电压,危险性较大。采用相对地附加电容法,其安全隐患主要发生在附加电容本身上,例如测量电缆线路时,附加电容一般放置在开关柜附近,在测量过程中附加电容如存在缺陷发生爆炸,可能危及其它配电柜,造成重大事故;另外在测量35kV系统电容电流时,因系统电压较高,附加电容容量较大,有的试验单位可能并不具备合适的电容器。采用中性点附加电容法,如在测量过程中系统出现单相接地,中性点电压上升到相电压,将危及运行人员及表的安全,而且测量误差大。
在实际运行中,对于出线数较多、线路较长或包含大量电缆线路的配电系统,当其发生单相接地故障时,对地电容电流会相当大,接地电弧如果不能自熄灭,极易产生间隙性弧光接地过电压或激发铁磁谐振,持续时间长,影响面大,线路绝缘薄弱点往往还会发展成两相短路事故。因此,DL/T620-1997《交流电气装置的过电压保护和绝缘配合》规定:3~10KV钢筋混凝土或金属杆塔的架空线路构成的系统和所有35KV、66KV系统,当单相接地故障电流大于10A时应装设消弧线圈;3~10KV电缆线路构成的系统,当单相接地故障电流大于30A,又需在接地故障条件下运行时,应采用消弧线圈接地方式。
消弧线圈一般为过补偿运行(即流过消弧线圈的电感电流大于电容电流),这也就是说装设的消弧线圈的电感必需根据对地电容电流的大小来确定,以防止中性点不接地系统发生单相接地而引起弧光过电压。而实际情况是,现场运行人员对系统的接地电容电流值究竟有多大了解的并不详实,或者是掌握的数据仅凭经验而得,或者是数据过于陈旧,不足为凭。
所以,针对研究该问题的重要性以及以往方法的种种不利之处,本文提出一种利用单相接地故障数据估计小电流系统对地电容电流的新方法。

1 方法介绍
对于一个中性点绝缘系统,发生单相接地故障时的等值电路如图1所示,由于配电网线路中各相对地的泄漏电导比线路对地电容的导纳小得多,所以分析时忽略了泄漏电导,并认为三相对地电容相等。

接下来利用单相接地故障的零序电压和零序电流数据来估计系统对地电容值,由于电流波形比较杂乱,利用公式 求电容不可避免的造成较大误差,所以,本方法利用零序电压和零序电流的瞬时值来求电容。由公式,将其写成离散化形式,为:


由于F的每一项[i*(k)-i(k)]2都可以展开成电容C的多项式:


这样,当系统的某一条出线i(i=1,2,...,n)发生单相接地故障时,利用系统零序电压与故障线路零序电流可求出该系统除了故障线路以外的其它线路对地电容值之和;利用零序电压与任一条非故障线路的零序电流可求出该非故障线路的对地电容值;并且,对同一次故障在数值上有。对于长线路计算结果可认为准确,对于短线路,计算误差稍大,可通过一些具体途径改进,本文不作详细叙述。
这样,利用两组发生在不同线路上的故障数据就可求出该系统中各线路的对地电容,且随着故障次数的增多,还可利用多次的故障数据对系统对地电容进行修正。系统对地电容值求出后,由公式I=jωCU可以很容易就估计出系统电容电流的X值,以此可以决定系统是否需要安装消弧线圈以及消弧线圈电感值的大小。

2 EMTP仿真验证
接下来对一个系统进行EMTP仿真,验证该方法。系统为一个有五条出线的变电所, 基波频率f=50Hz,采样频率fs=5000 Hz。仿真采用三相分布参数集中电阻线路模型,已知各出线长度分别为l1=l4=l5=10 km,l2=30 km,l3=6 km;线路参数分别为:R0=0.23 Ω/km,ωL0=1.72Ω/km,ωC0=4.175 μΩ/km;R1=0.17Ω/km,ωL1=0.28Ω/km,ωC1=5.715μΩ/km,当t=0.0075s时在X一条出线的A相线路中间发生单相金属接地故障(见图2)。取0~0.04秒的2个周波200个点的数据进行分析。

对上述方法用Matlab编程,对仿真数据进行分析,求解系统对地电容值。考虑到噪声污染以及各种随机干扰的存在,先对故障数据进行数字滤波,将17次以上的谐波去除后再对仿真或实测数据进行运算。本例所得由电容所计算电流与滤波后电流拟合波形如图3所示(本文对数据滤波时采用的是巴特沃思滤波器,除去9次谐波以上的高次谐波)。

由零序电压和故障线路零序电流求得的对地电容为:C∑=-0.75462μF,
由零序电压和非故障线路2、3、4、5的零序电流求得的电容分别为:
其中,C∑为负是因为故障线路零序电流和非故障线路零序电流反相的缘故。
由此可得:C2+C3+C4+C5=0.75462μF,可见其数值上与C∑相等。并且,由系统参数ωC0=4.175μS/km可推出C0=4.175/314=0.013296μF,则由Ci=C0*li可得:C2=0.39888μF,C3=0.07978μF,C4=0.13296μF,C5=0.13296μF,可见,这些值和利用本方法估计出的各线路对地电容值差甚微。
利用该方法对同一系统进行EMTP仿真,进一步验正该方法。t=0.0075s时在X一条出线的A相线路中间发生单相电阻性接地,接地电阻100Ω,同样取0-0.04s的2个周波200个点的数据进行


3 结论
传统测量电容电流的方法可分为直接法和间接法两种:直接法是使线路接地,直接测量接地电容电流,此方法操作及接线复杂,而且有可能危及非接地相绝缘薄弱处的绝缘造成两相异地短路,对操作人员与配电系统都不安全,因而一般很少采用。目前广泛采用的是间接法,即,在线路上外加一个电容,测量电压的变化,从而间接计算出电容电流值。这种方法虽能较准确地测量电容电流值,但测量时仍需与一次侧打交道,人员与设备安全仍得不到保证。另外,由于要涉及一次设备,因此操作繁琐,准备工作时间长,工作效率低,通常大部分时间耗费在等待调度命令、开工作票、倒闸操作及安全措施准备上,工作效率非常低[2][3]。
本文介绍的方法,简单易行,仅仅利用系统单相接地时的故障数据进行计算,不必利用仪器进行现场实地测量,不影响电网正常运行,免除了麻烦且避免了危险。该方法适用于对误差要求不很严格并且工作量较大的场合,经过仿真表明,结果较为准确。


电解电容器元件符号上带+号,+号代表意思
表示这种电容接入电路中时,+号极必须位于高电位,不能做低电位。这种电容一般用于直流电路中。
我估计正极应该是铝,因为电解电容器是利用电解池的原理制作的,充电时电能转换为化学能,做电解池使用;放电是化学能转换为电能,做电池使用。按照电解池的理论,金属失去电子发生氧化反应,做阳极,对于电路而言接正极——高电位端。
电容和电解电容的作用
电源退偶输出滤波
那个小的是给高频电流留下的通路
一般输出的地方用大容量电解电容和小容量涤纶电容并联
电解电容和涤纶电容并联是因为电路可能会产生高频干扰电解电容对这种高频电流的电阻很大也就是说光用一只大的电解电容对高频干扰的吸收能力比较差
有高频电流的情况下涤纶电容的效果一般X石电容或者瓷片电容的效果很好但是这些电容的特点是容量不能做得很大(或者说容量大时成本非常高)所以单X用一个这样的电容也不行
所以呢就把两种电容并联起来取长补短效果很好
不过单就这个例子中涤纶电容的效果已经做够大容量的X石电容或者瓷片电容比较贵又不好买所以才建议用涤纶电容的如果有X石电容或者瓷片电容那就更好。
贴片铝电解电容的主要功能为旁路、滤波、耦合等,应用于高清电视(包括数字机顶盒)、LCD、车载DVD、X薄DVD等产品中。据介绍,一台车载DVD中,SMD铝电解电容的用量约为60只,而一台高清电视或者等离子电视中,SMD铝电…
贴片电解电容器及其制造方法
电解电容器包括:平坦形的阳极端子,其阳极端子具有连接到电容器元件的阳极部分的X一表面和与所述X一表面相对的X二表面;平坦形的阴极端子,其阴极端子具有连接到所述电容器元件的阴极层的X一表面和与其X一表面相对的X二表面;和容纳所述电容器元件、所述阳极端子和所述阴极端子的具有绝缘特性的树脂封装。所述阴极端子的所述X二表面与所述阳极端子的所述X二表面在同一平面上。所述阳极端子的所述X二表面和所述阴极端子的所述X二表面暴露到所述树脂封装的外部。所述阳极端子包括X一厚部分和比所述X一厚部分薄的X一薄部分。所述X一厚部分具有所述阳极端子的所述X二表面和所述阳极端子的所述X一表面的一部分。所述X一薄部分具有所述阳极端子的所述X一表面的一部分并连接到所述X一厚部分。所述阴极端子包括X二厚部分和比所述X二厚部分薄的X二薄部分。所述X二厚部分具有所述阴极端子的所述X二表面和所述阴极端子的所述X一表面的一部分。所述X二薄部分具有所述X一表面的一部分并连接到所述X二厚部分。此固态电解电容器具有较小的等效串联电感,且可稳定地安阀金属形成的具有粗糙表面的阳极体,设置于所述阳极体的所述表面上的电介质氧化物层,设置于所述电介质氧化物层上的具有绝缘特性的保护膜,所述保护膜将所述阳极体和所述电介质氧化物层划分成阴极部分和阳极部分,设置于所述阴极部分处的所述电介质层上的由导电聚合物形成的固态电解质层,和设置于所述固态电解质层上的阴极层;平板形状的阳极端子,所述阳极端子具有X一表面和与所述阳极端子的所述X一表面相对的X二表面,所述阳极端子的所述X一表面连接到所述阳极部分;平板形状的阴极端子,所述阴极端子具有X一表面和与所述阴极端子的所述X一表面相对的X二表面,所述阴极端子的所述X一表面连接到所述阴极层,所述阴极端子的所述X二表面与所述阳极端子的所述X二表面在同一平面上;和容纳所述电容器元件、所述阳极端子和所述阴极端子的并具有绝缘特性的树脂封装,所述阳极端子的所述X二表面和所述阴极端子的所述X二表面暴露到所述树脂封装的外部,其中所述阳极端子包括X一厚部分和比所述X一厚部分薄的X一薄部分,所述X一厚部分具有所述阳极端子的所述X二表面和所述阳极端子的所述X一表面的一部分,所述X一薄部分具有所述阳极端子的所述X一表面的一部分并连接到所述X一厚部分,并且其中所述阴极端子包括X二厚部分和比所述X二厚部分薄的X二薄部分,所述X二厚部分具有所述阴极端子的所述X二表面和所述阴极端子的所述X一表面的一部分,所述X二薄部分具有所述X一表面的一部分并连接到所述X二厚部分装到安装体。
贴片铝电解电容(SMD Aluminum Electrolytic Capacitor )
全称:贴片铝电解电容器,简称:片式铝电解,片铝等。
主要规格尺寸,接公制标准分为:4*5.5mm, 5*5.5mm, 6.3*5.5mm, 6.3*7.7mm, 8*6.2mm, 8*10.2mm, 10*10.2mm, 10*12mm等。
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铝电解电容器的构成:是由正箔. 负箔和电解纸卷成芯子,用引线引出正负极,含浸电解液后通过导针引出,再用铝壳和胶密密封起来。片式铝电解电容器体积虽然较小,但是因为通过电化学腐蚀后,电极箔的表面积被扩大了,且它的介质氧化膜非常薄,所以,片式铝电解电容器可以具有相对较大的电容量。
正确选用一颗贴片铝电解电容器产品,要注意的参数包括:电容量. 额定电压.温度. 寿命以及特性(比如高频低阻抗)的要求。。
0.47uF50v|50v 0.47uF 4*5.4 0.47uF63v|63v0.47uF 4*5.4 0.47 uF 100v|100v0.47uF 4*5.4
1uF50v|50v1uF 4*5.4 1uF63v|63v1uF 4*5.4 1uF 100v|100v1uF 6.3*5.4
2.2uF50v|50v 2.2uF 4*5.4 2.2uF63v|63v1uF 4*5.4 2.2 uF 100v|100v2.2uF 6.3*5.4
3.3uF35v|35v3.3uF 4*5.4 3.3uF50v|50v3.3uF 4*5.4 3.3uF63v|63v3.3uF 5*5.4
3.3uF100v|100v3.3uF 6.3*5.4
4.7uF25v|25v4.7uF 4*5.4 4.7uF35v|35v4.7uF 4*5.4 4.7uF50v|50v4.7uF 5*5.4 4.7uF63v|63v4.7uF 6.3*5.4 4.7uF100v|100v4.7uF 6.3*7.7
6.8uF25v|25v6.8uF 4*5.4 6.8uF35v|35v6.8uF 4*5.4 6.8uF50v|50v6.8uF 5*5.4 6.8uF63v|63v6.8uF 6.3*5.4 6.8uF100v|100v6.8uF 6.3*7.7
8.2uF25v|25v8.2uF 4*5.4 8.2uF35v|35v8.2uF 4*5.4 8.2uF50v|50v8.2uF 5*5.4 8.2uF63v|63v8.2uF 6.3*5.4 8.2uF100v|100v8.2uF 6.3*7.7
10uF16v|16v10uF 4*5.4 10uF25v|25v10uF 4*5.4 10uF35v|35v10uF 4*5.4 10uF50v|50v10uF 6.3*5.4 10uF63v|63v10uF 6.3*5.4 10uF100v|100v10uF 6.3*7.7
22uF6.3v|6.3v22uF 4*5.4 22uF10v|10v22uF 4*5.4 22uF16v|16v22uF 4*5.4 22uF25v|25v22uF 5*5.4 22uF35v|35v22uF 6.3*5.4 22uF50v|50v22uF 6.3*5.4 22uF63v|63v22uF 6.3*7.7 22uF220v|220v22uF 8*10.2
33uF6.3v|6.3v33uF 4*5.4 33uF10v|10v33uF 4*5.4 33uF16v|16v33uF 5*5.4 33uF25v|25v33uF 5*5.4 33uF35v|35v33uF 6.3*5.4 33uF50v|50v33uF 6.3*7.7 33uF63v|63v33uF 8*10.2 33uF330v|330v33uF 10*10.2
47uF6.3v|6.3v47uF 4*5.4 47uF10v|10v47uF 5*5.4 47uF16v|16v47uF 5*5.4 47uF25v|25v47uF 6.3*5.4 47uF35v|35v47uF 6.3*5.4 47uF50v|50v47uF 6.3*7.7 47uF63v|63v47uF 8*10.2 47uF470v|470v47uF 10*10.2
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82uF6.3v|6.3v82uF 5*5.4 82uF10v|10v82uF 6.3*5.4 82uF16v|16v82uF 6.3*5.4 82uF25v|25v82uF 8*6.5 82uF35v|35v82uF 8*6.5 82uF50v|50v82uF 8*10.2 82uF63v|63v82uF 10*10.2 82uF820v|820v82uF 10*10.2
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