东莞市万江新创胜机械设备厂
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近期，长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND闪存存储器研发项目取得新进展，向产业化道路迈出关键一步。业内人士表示，国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作，并取得了阶段性进展。政策支持之下，随着技术等逐渐成熟，行业发展将迎来拐点在此背景下，上市公司纷纷发力拓展存储芯片业务。
基本依赖进口
存储芯片作为集成电路的三大品类之一，目前广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等X域，其销售额占整个芯片产业的比重X过25%，反映了一个X或地区的半导体发展水平。
数据显示，
赛迪智库集成电路研究所所长霍雨涛表示，国内存储芯片已经取得了一些进展，但总体看仍处于起步阶段。无论是DRAM还是NAND Flash等X域，核心技术、X等仍主要掌握在三星、东芝、SK海力士、美光、闪迪、英特尔等海外厂商手中。
霍雨涛认为，国产存储芯片要想取得更大的进展，需要合理规划和统筹布局，做好长期持续大投入的准备要聚焦核心技术和人才，立足自主研发，完善产业生态要抓住计算和存储产业深度融合带来的机遇。
上市公司发力
面对国产存储芯片的现状，不少公司开始发力。
以兆易创新为例，公司拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成100%股权。北京矽成100%股权的交易价格暂定为65亿元。公司表示，上市公司与标的公司均主要从事集成电路存储芯片及其衍生产品的研发、技术支持和销售，交易完成后可以形成良好的规模效应本次交易将为上市公司引进存储芯片研发设计X域的研发人员以及化管理团队，为上市公司化纵深发展注入动力。
长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND Flash存储器研发项目取得新进展，32层3D NAND闪存芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出关键一步。
紫光集团宣布投资约2063亿元在南京建设半导体产业基地，一期建成后，将是规模的芯片制造工厂，月产量将达10万片。
据悉，紫光南京半导体产业基地已于近日开工建设，主要产品为3D NAND闪存、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。
霍雨涛表示，国产存储芯片发展面临巨大的机遇与挑战。国内厂商积极开展存储芯片相关研发和产业化工作，并取得了阶段性进展随着资金、政策、人员等各种条件的成熟，行业发展拐点已经来临。
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